臺(tái)積電正加速邁向 2nm。根據(jù) MoneyDJ 報(bào)道，位于新竹寶山的臺(tái)積電工廠預(yù)計(jì)于 2024 年第 2 季度開始安裝設(shè)備，預(yù)計(jì) 2025 年第 4 季度量產(chǎn)，初期月產(chǎn)量約 3 萬片晶圓。

臺(tái)積電的高雄工廠目前也正在積極“備戰(zhàn)”，預(yù)估將會(huì)在 N2 工藝登場 1 年后，采用背面供電技術(shù)，量產(chǎn) N2P（2nm 加強(qiáng)版）工藝。

據(jù)此前報(bào)道，臺(tái)積電此前透露信息，在 N2 工藝上擴(kuò)展背面電源軌（backside power rail）解決方案，減少紅外衰減和改善信號(hào)，性能可以提高 10% 至 12%，并讓邏輯面積減少 10% 至 15%。

臺(tái)積電計(jì)劃 2025 年下半年向客戶交付背面電源軌樣品，并與 2026 年量產(chǎn)。

三星此前公布的半導(dǎo)體規(guī)劃，2025 年大規(guī)模量產(chǎn) 2nm，2027 年量產(chǎn) 1.4nm；而英特爾方面，預(yù)估 2024 年上半年量產(chǎn) l 采用 Gate All Around（GAA）技術(shù) RibbonFET 電晶體架構(gòu)的 20A，2025 年量產(chǎn) 18A。